MOSFET onsemi, canale N, 8,8 mΩ, 71 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 900-8814
Codice costruttore:: NTMFS5C670NLT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 8,8 mΩ, 71 A, DFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 900-8814
Codice costruttore:: NTMFS5C670NLT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	71 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	5
Resistenza massima drain source	8,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	61 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	20 nC a 10 V, 9 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	6.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.95mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET onsemi, canale N, 8,8 mΩ, 71 A, DFN, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

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