2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 14.4 mΩ, 42 A 60 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
178-4314
Codice costruttore:
NTMFD5C674NLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

175°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

37W

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.1mm

Altezza

1.05mm

Larghezza

6.1 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso industriale in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Bassa resistenza in stato attivo

Capacità di corrente elevata

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Vantaggi

Perdite di conduzione minime

Prestazioni a pieno carico

Design compatto

Applicazioni

Controllo motori

Regolatore c.c.-c.c.

Interruttori di alimentazione (driver high side, driver low side, H-bridge, ecc.)

Gestione e protezione delle batterie

Prodotti finali

Batterie

Alimentatori

Droni rotanti

Utensili elettrici

Power over Ethernet (PoE)

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