2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 14.5 mΩ, 29 A 40 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-4470
Codice costruttore:
NVMFD5C478NLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

23W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.3nC

Tensione diretta Vf

0.84V

Minima temperatura operativa

175°C

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Larghezza

6.1 mm

Altezza

1.05mm

Lunghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5 x 6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. Adatto per applicazioni automobilistiche.

Caratteristiche

Bassa resistenza in stato attivo

Capacità di corrente elevata

Capacità PPAP

NVMFD5C478NLWF - Opzione con fiancate bagnabili

Vantaggi

Perdite di conduzione minime

Prestazioni a pieno carico

Protezione contro i guasti da eccessive sollecitazioni di tensione

Adatto per applicazioni nel settore automobilistico

Ispezione visiva migliorata

Applicazioni

Driver solenoide

Driver low side /high side

Prodotti finali

Controller motore nel settore automobilistico

Sistemi di frenatura antiblocco

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