MOSFET onsemi, canale N, 14,5 mΩ, 29 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-4470
Codice costruttore:: NVMFD5C478NLT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 14,5 mΩ, 29 A, DFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 178-4470
Codice costruttore:: NVMFD5C478NLT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
Datasheet NVMFD5C478NLT1G

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	29 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	14,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	23 W
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	6.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	8,1 nC a 10 V
Lunghezza	5.1mm
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET onsemi, canale N, 14,5 mΩ, 29 A, DFN, Montaggio superficiale

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