2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 14.5 mΩ, 29 A 40 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 178-4470
- Codice costruttore:
- NVMFD5C478NLT1G
- Costruttore:
- onsemi
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Alternativa
Prodotto al momento non disponibile. Ti suggeriamo la seguente alternativa.
Unità (Su Bobina da 1500)
0,716 €
(IVA esclusa)
0,874 €
(IVA inclusa)
- Codice RS:
- 178-4470
- Codice costruttore:
- NVMFD5C478NLT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 29A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 14.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | 175°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.84V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 23W | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5.1mm | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 29A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 14.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa 175°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Tensione diretta Vf 0.84V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 23W | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5.1mm | ||
Altezza 1.05mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5 x 6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. Adatto per applicazioni automobilistiche.
Caratteristiche
Bassa resistenza in stato attivo
Capacità di corrente elevata
Capacità PPAP
NVMFD5C478NLWF - Opzione con fiancate bagnabili
Vantaggi
Perdite di conduzione minime
Prestazioni a pieno carico
Protezione contro i guasti da eccessive sollecitazioni di tensione
Adatto per applicazioni nel settore automobilistico
Ispezione visiva migliorata
Applicazioni
Driver solenoide
Driver low side /high side
Prodotti finali
Controller motore nel settore automobilistico
Sistemi di frenatura antiblocco
Link consigliati
- 2 MOSFET di potenza onsemi Duale 14.5 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET di potenza onsemi Duale 6.5 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET di potenza onsemi Duale 14.4 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET di potenza onsemi Duale 2.9 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET di potenza onsemi Duale 17 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET di potenza onsemi Duale 5.4 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET di potenza onsemi Duale 8.8 mΩ DFN 8 Pin
- 2 MOSFET di potenza onsemi Duale 31.5 mΩ DFN 8 Pin

