MOSFET onsemi, canale N, 17 mΩ, 27 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-4300
Codice costruttore:: NVMFD5C478NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 17 mΩ, 27 A, DFN, Montaggio superficiale

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 03/12/2024.

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)

0,738 €

(IVA esclusa)

0,90 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Bobina*
1500 +	0,738 €	1.107,00 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-4300
Codice costruttore:: NVMFD5C478NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
Datasheet NVMFD5C478NT1G

Codice RS:: 178-4300
Codice costruttore:: NVMFD5C478NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
Datasheet NVMFD5C478NT1G

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	27 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	17 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	23 W
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	6,3 nC a 10 V
Lunghezza	5.1mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	6.1mm
Altezza	1.05mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	27 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	17 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	23 W
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	6,3 nC a 10 V
Lunghezza	5.1mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	6.1mm
Altezza	1.05mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 17 mΩ, 27 A, DFN, Montaggio superficiale

Link consigliati