2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 31.5 mΩ, 25 A 80 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2561
Codice costruttore:
NVMFD6H852NLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

31.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

175°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

1.05mm

Lunghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

NVMFD6H852NLWF - Opzione con fiancata bagnabile per una migliore ispezione visiva

Capacità PPAP

Questi dispositivi sono senza piombo

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