2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 14.4 mΩ, 42 A 60 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

2,09 €

(IVA esclusa)

2,55 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2920 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 +0,209 €2,09 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-4629
Codice costruttore:
NTMFD5C674NLT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

175°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

37W

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.1mm

Altezza

1.05mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso industriale in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Bassa resistenza in stato attivo

Capacità di corrente elevata

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Vantaggi

Perdite di conduzione minime

Prestazioni a pieno carico

Design compatto

Applicazioni

Controllo motori

Regolatore c.c.-c.c.

Interruttori di alimentazione (driver high side, driver low side, H-bridge, ecc.)

Gestione e protezione delle batterie

Prodotti finali

Batterie

Alimentatori

Droni rotanti

Utensili elettrici

Power over Ethernet (PoE)

Link consigliati