2 MOSFET di potenza onsemi Duale, canale Tipo N, 14.4 mΩ, 42 A 60 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-4629
Codice costruttore:
NTMFD5C674NLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

37W

Minima temperatura operativa

175°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.1 mm

Altezza

1.05mm

Lunghezza

5.1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso industriale in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Bassa resistenza in stato attivo

Capacità di corrente elevata

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Vantaggi

Perdite di conduzione minime

Prestazioni a pieno carico

Design compatto

Applicazioni

Controllo motori

Regolatore c.c.-c.c.

Interruttori di alimentazione (driver high side, driver low side, H-bridge, ecc.)

Gestione e protezione delle batterie

Prodotti finali

Batterie

Alimentatori

Droni rotanti

Utensili elettrici

Power over Ethernet (PoE)

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