MOSFET onsemi, canale N, 14,5 mΩ, 44 A, WDFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 185-8163
Codice costruttore:: NVTFS6H854NTAG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 14,5 mΩ, 44 A, WDFN, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)

0,307 €

(IVA esclusa)

0,375 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
1500 +	0,307 €	460,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 185-8163
Codice costruttore:: NVTFS6H854NTAG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NVTFS6H854NTAG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	44 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	WDFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	14,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	68 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	13 nC a 10 V
Lunghezza	3.15mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	0.75mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101

MOSFET onsemi, canale N, 14,5 mΩ, 44 A, WDFN, Montaggio superficiale

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