MOSFET onsemi, canale N, 14,5 mΩ, 14 A, Power 33, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-2099
Codice costruttore:: FDMC8327L
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 14,5 mΩ, 14 A, Power 33, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,432 €

(IVA esclusa)

0,527 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,432 €	1.296,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-2099
Codice costruttore:: FDMC8327L
Costruttore:: onsemi

FDMC8327L, N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 14A, 9.7mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	14 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	Power 33
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	14,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	30 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.3mm
Larghezza	3.3mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	18,5 nC a 10 V
Altezza	0.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 14,5 mΩ, 14 A, Power 33, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor

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