MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 14.5 mΩ Miglioramento, 44 A, 8 Pin, WDFN, Superficie NVTFS6H854NTAG

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Codice RS:
185-9264
Codice costruttore:
NVTFS6H854NTAG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

44A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

WDFN

Serie

NVTFS6H854N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

0.75mm

Larghezza

3.15 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non conforme

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.

Piccolo ingombro (3,3 x 3,3 mm)

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacitanza

NVTFS6H850NWF - Prodotto con fianchi bagnabile

Capacità PPAP

Design compatto

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Riduce le perdite di driver

Ispezione visiva migliorata

Adatto per applicazioni nel settore automobilistico

Applicazioni

Protezione dalle inversioni di polarità della batteria

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Commutazione degli alimentatori

Prodotti finali

Driver per solenoide - ABS, iniezione di carburante

Comando motore - EPS, tergicristalli, ventole, sedili, ecc

. Interruttore di carico - ECU, telaio, corpo

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