MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 14.5 mΩ Miglioramento, 44 A, 8 Pin, WDFN, Superficie NVTFS6H854NTAG
- Codice RS:
- 185-9264
- Codice costruttore:
- NVTFS6H854NTAG
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
2,86 €
(IVA esclusa)
3,49 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 1470 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,286 € | 2,86 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 185-9264
- Codice costruttore:
- NVTFS6H854NTAG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 44A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | WDFN | |
| Serie | NVTFS6H854N | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 14.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 68W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Larghezza | 3.15 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.15mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 44A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package WDFN | ||
Serie NVTFS6H854N | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 14.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 68W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 0.75mm | ||
Larghezza 3.15 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.15mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Non conforme
- Paese di origine:
- MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.
Piccolo ingombro (3,3 x 3,3 mm)
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacitanza
NVTFS6H850NWF - Prodotto con fianchi bagnabile
Capacità PPAP
Design compatto
Riduzione al minimo delle perdite di conduzione
Riduce le perdite di driver
Ispezione visiva migliorata
Adatto per applicazioni nel settore automobilistico
Applicazioni
Protezione dalle inversioni di polarità della batteria
Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)
Commutazione degli alimentatori
Prodotti finali
Driver per solenoide - ABS, iniezione di carburante
Comando motore - EPS, tergicristalli, ventole, sedili, ecc
. Interruttore di carico - ECU, telaio, corpo
Link consigliati
- MOSFET onsemi 14 44 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 14 29 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 250 mΩ5 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 15 57 WDFN, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 15 41 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 268 mΩ9 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 6 mΩ WDFN, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 55 mΩ WDFN, Montaggio superficiale
