MOSFET onsemi, canale N, 14,5 mΩ, 44 A, WDFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 185-9264
Codice costruttore:: NVTFS6H854NTAG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 14,5 mΩ, 44 A, WDFN, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 10

0,311 €

(IVA esclusa)

0,379 €

(IVA inclusa)

1490 Disponibile per la consegna entro 2 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
10 +	0,311 €	3,11 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 185-9264
Codice costruttore:: NVTFS6H854NTAG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NVTFS6H854NTAG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	44 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	WDFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	14,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	68 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	13 nC a 10 V
Lunghezza	3.15mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	3.15mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Altezza	0.75mm

MOSFET onsemi, canale N, 14,5 mΩ, 44 A, WDFN, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Link consigliati