MOSFET onsemi, canale N, 5 mΩ, 76 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-1765
Codice costruttore:: FDMS86300DC
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 5 mΩ, 76 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

1,23 €

(IVA esclusa)

1,50 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	1,23 €	3.690,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-1765
Codice costruttore:: FDMS86300DC
Costruttore:: onsemi

ESD Control Selection Guide V1
Datasheet

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	76 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	PQFN8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	5.1mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5.85mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	72 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.05mm

MOSFET onsemi, canale N, 5 mΩ, 76 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

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