Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale N 80 V, 5 mΩ Miglioramento, 76 A, 8 Pin, WDFN, Superficie FDMS86300DC

Codice RS:: 772-9206
Codice costruttore:: FDMS86300DC
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N 80 V, 5 mΩ Miglioramento, 76 A, 8 Pin, WDFN, Superficie FDMS86300DC

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Unità	Per unità	Per confezione*
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12 - 99	3,123 €	9,37 €
102 - 249	2,50 €	7,50 €
252 - 498	2,417 €	7,25 €
501 +	2,103 €	6,31 €

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Codice RS:: 772-9206
Codice costruttore:: FDMS86300DC
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	76A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Serie	PowerTrench
	Tipo di package	WDFN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	125W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	72nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	5.1mm
	Larghezza	5.85mm
	Altezza	1.05mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 76A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Serie PowerTrench
	Tipo di package WDFN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 125W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 72nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 5.1mm
	Larghezza 5.85mm
	Altezza 1.05mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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