Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 68 A, 8 Pin, WDFN, Superficie

Codice RS:: 178-4317
Codice costruttore:: NTTFS6H850NTAG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 68 A, 8 Pin, WDFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*

639,00 €

(IVA esclusa)

780,00 €

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Unità	Per unità	Per bobina*
1500 +	0,426 €	639,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-4317
Codice costruttore:: NTTFS6H850NTAG
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	68A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Serie	NTTFS6H850N
	Tipo di package	WDFN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	9.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	107W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3.6nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	3.15mm
	Altezza	0.75mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 68A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Serie NTTFS6H850N
	Tipo di package WDFN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 107W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.6nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 3.15mm
	Altezza 0.75mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: MY

MOSFET di potenza per uso commerciale in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse.

Caratteristiche

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa carica di gate

Ingombro ridotto (3x3 mm)

Vantaggi

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Riduzione al minimo delle perdite di commutazione

Design compatto

Applicazioni

Protezione dalle inversioni di polarità della batteria

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Rettifica sincrona

Prodotti finali

Controllo motori

Gestione di batterie

Alimentatori switching

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