MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 68 A, 8 Pin, WDFN, Superficie NTTFS6H850NTAG
- Codice RS:
- 178-4439
- Codice costruttore:
- NTTFS6H850NTAG
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
10,09 €
(IVA esclusa)
12,31 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 03 dicembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,009 € | 10,09 € |
| 100 - 240 | 0,782 € | 7,82 € |
| 250 - 490 | 0,762 € | 7,62 € |
| 500 - 990 | 0,667 € | 6,67 € |
| 1000 + | 0,566 € | 5,66 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-4439
- Codice costruttore:
- NTTFS6H850NTAG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 68A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | NTTFS6H850N | |
| Tipo di package | WDFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 107W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Lunghezza | 3.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 68A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie NTTFS6H850N | ||
Tipo di package WDFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 107W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 0.75mm | ||
Lunghezza 3.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET di potenza per uso commerciale in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse.
Caratteristiche
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa carica di gate
Ingombro ridotto (3x3 mm)
Vantaggi
Riduzione al minimo delle perdite di conduzione
Riduzione al minimo delle perdite di commutazione
Design compatto
Applicazioni
Protezione dalle inversioni di polarità della batteria
Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)
Rettifica sincrona
Prodotti finali
Controllo motori
Gestione di batterie
Alimentatori switching
Link consigliati
- MOSFET onsemi 9.5 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 9.5 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie NVTFS6H850NTAG
- MOSFET onsemi 50 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 14 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 5 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 55 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 14 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 14.5 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie