MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 68 A, 8 Pin, WDFN, Superficie NTTFS6H850NTAG

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MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 68 A, 8 Pin, WDFN, Superficie
Codice RS
178-4317

Unità (Su Bobina da 1500)

0,312 €

(IVA esclusa)

0,381 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
178-4439
Codice costruttore:
NTTFS6H850NTAG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

68A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

WDFN

Serie

NTTFS6H850N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

107W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.6nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.15mm

Altezza

0.75mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso commerciale in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse.

Caratteristiche

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa carica di gate

Ingombro ridotto (3x3 mm)

Vantaggi

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Riduzione al minimo delle perdite di commutazione

Design compatto

Applicazioni

Protezione dalle inversioni di polarità della batteria

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Rettifica sincrona

Prodotti finali

Controllo motori

Gestione di batterie

Alimentatori switching

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