MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 50 mΩ Miglioramento, 14 A, 8 Pin, WDFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*

378,00 €

(IVA esclusa)

460,50 €

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1500 +0,252 €378,00 €

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Codice RS:
202-5750
Codice costruttore:
NVTFS6H888NLTAG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

NVT

Tipo di package

WDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

23W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

0.8 mm

Lunghezza

3.55mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.55mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N on Semiconductor è in funzione con 14 Ampere e 80 V. Ha un ingombro ridotto per un design compatto con bassa RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione.

Certificazione AEC Q101

Conformità RoHS

Senza piombo

Prodotto di fianco bagnabile

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