MOSFET onsemi, canale N, 14 mΩ, 80 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-1319
Codice costruttore:: FDMS86101
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 14 mΩ, 80 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,905 €

(IVA esclusa)

1,104 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,905 €	2.715,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 124-1319
Codice costruttore:: FDMS86101
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	80 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	PQFN8
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	14 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	104 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	6.25mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	39 nC a 10 V
Lunghezza	5.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.05mm

MOSFET onsemi, canale N, 14 mΩ, 80 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

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