MOSFET onsemi, canale N 80 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 68 A, 8 Pin, WDFN, Superficie

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Codice RS:
172-3321
Codice costruttore:
NVTFS6H850NTAG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

68A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

WDFN

Serie

NVTFS6H850N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Dissipazione di potenza massima Pd

107W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

800mV

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.15mm

Altezza

750μm

Larghezza

3.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Design compatto

Bassa resistenza RDS(on)

Riduce la perdita di conduzione

QG e capacità bassi

Riduce le perdite di driver

NVMFD5C446NLWF - Opzione con fiancata bagnabile

Ispezione visiva migliorata

Capacità PPAP

Applicazioni

Driver solenoide

Driver low side /high side

Controller motore nel settore automobilistico

Sistemi di frenatura antiblocco

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