MOSFET onsemi, canale N, 1,1 mΩ, 362 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 189-0435
Codice costruttore:: NVMFS5C406NLT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 1,1 mΩ, 362 A, DFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 189-0435
Codice costruttore:: NVMFS5C406NLT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet NVMFS5C406NLT1G

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	362 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	5
Resistenza massima drain source	1,1 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	179 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Lunghezza	6.1mm
Larghezza	5.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	149 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET onsemi, canale N, 1,1 mΩ, 362 A, DFN, Montaggio superficiale

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