MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 2.6 mΩ Miglioramento, 154 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie NTMFS3D0N08XT1G
- Codice RS:
- 220-604
- Codice costruttore:
- NTMFS3D0N08XT1G
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 5 unità*
12,42 €
(IVA esclusa)
15,15 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,484 € | 12,42 € |
| 50 - 95 | 2,36 € | 11,80 € |
| 100 - 495 | 2,192 € | 10,96 € |
| 500 - 995 | 2,012 € | 10,06 € |
| 1000 + | 1,932 € | 9,66 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-604
- Codice costruttore:
- NTMFS3D0N08XT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 154A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo di package | DFN-5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 133W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 45nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free, RoHS | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Larghezza | 5.15 mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 154A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo di package DFN-5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 133W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 45nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free, RoHS | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Larghezza 5.15 mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
La tecnologia MOSFET di potenza di ON Semiconductor con la migliore resistenza di accensione della categoria per le applicazioni di pilotaggio dei motori. Una minore resistenza di accensione e una minore carica di gate possono ridurre la perdita di conduzione e la perdita di pilotaggio. Il buon controllo della morbidezza per il recupero inverso del diodo corpo può ridurre lo stress da picco di tensione senza un circuito snubber aggiuntivo nell'applicazione.
Senza alogeni
Conformità RoHS