MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 2.1 mΩ Miglioramento, 181 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie NTMFS2D5N08XT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-603
Codice costruttore:
NTMFS2D5N08XT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

181A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

NTMFS

Tipo di package

DFN-5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

148W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1mm

Lunghezza

6.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
La tecnologia MOSFET di potenza di ON Semiconductor con la migliore resistenza di accensione della categoria per le applicazioni di pilotaggio dei motori. Una minore resistenza di accensione e una minore carica di gate possono ridurre la perdita di conduzione e la perdita di pilotaggio. Il buon controllo della morbidezza per il recupero inverso del diodo corpo può ridurre lo stress da picco di tensione senza un circuito snubber aggiuntivo nell'applicazione.

Senza alogeni

Conformità RoHS

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