MOSFET onsemi, canale N, 2,1 mΩ, 203 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-4435
Codice costruttore:: NVMFS6H800NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 2,1 mΩ, 203 A, DFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 178-4435
Codice costruttore:: NVMFS6H800NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
Datasheet NVMFS6H800NT1G

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	203 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	5
Resistenza massima drain source	2,1 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	200 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Carica gate tipica @ Vgs	85 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	5.1mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.1mm
Altezza	1.05mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 2,1 mΩ, 203 A, DFN, Montaggio superficiale

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