MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 2.1 mΩ Miglioramento, 203 A, 5 Pin, DFN, Superficie NVMFS6H800NT1G

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Codice RS:
178-4435
Codice costruttore:
NVMFS6H800NT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

203A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

NVMFS6H800N

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

85nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.05mm

Larghezza

6.1 mm

Lunghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. Adatto per applicazioni automobilistiche.

Caratteristiche

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Bassa resistenza RDS(on)

QG e capacità bassi

NVMFS6H800NWF - Opzione con fiancata bagnabile

Capacità PPAP

Vantaggi

Design compatto

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

Riduce le perdite di driver

Ottica ottimizzata

ispezione

Applicazioni

Alimentatori switching

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

Sistemi da 48 V

Prodotti finali

Controllo motori

Interruttore di carico

Convertitore CC/CC

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