MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 316 A, 8 Pin, DFN, Superficie NVMFSC0D9N04CL
- Codice RS:
- 195-2673
- Codice costruttore:
- NVMFSC0D9N04CL
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 195-2673
- Codice costruttore:
- NVMFSC0D9N04CL
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 316A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 86nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 166W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5.9mm | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Larghezza | 5 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 316A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 86nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 166W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5.9mm | ||
Altezza 0.95mm | ||
Larghezza 5 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.
Ingombro ridotto (5x6 mm)
Design compatto
Bassa resistenza RDS(on)
Riduzione al minimo delle perdite di conduzione
QG e capacità bassi
Riduce le perdite di driver
NVMFS5C410NWF - Opzione Wettable Flank
Ispezione visiva migliorata
Capacità PPAP
Applicazione
Protezione dalle inversioni di polarità della batteria
Alimentatori switching
Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)
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