MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 316 A, 8 Pin, DFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

7602,00 €

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Codice RS:
195-2672
Codice costruttore:
NVMFSC0D9N04CL
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

316A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

86nC

Dissipazione di potenza massima Pd

166W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5 mm

Altezza

0.95mm

Lunghezza

5.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione Wettable Flank disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Design compatto

Bassa resistenza RDS(on)

Riduzione al minimo delle perdite di conduzione

QG e capacità bassi

Riduce le perdite di driver

NVMFS5C410NWF - Opzione Wettable Flank

Ispezione visiva migliorata

Capacità PPAP

Applicazione

Protezione dalle inversioni di polarità della batteria

Alimentatori switching

Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)

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