MOSFET onsemi, canale N, 1,3 mΩ, 316 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 195-2672
Codice costruttore:: NVMFSC0D9N04CL
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 1,3 mΩ, 316 A, DFN, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

2,46 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	2,46 €	7.380,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 195-2672
Codice costruttore:: NVMFSC0D9N04CL
Costruttore:: onsemi

Datasheet NVMFSC0D9N04CL

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	316 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	166 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	86 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	5.9mm
Altezza	0.95mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 1,3 mΩ, 316 A, DFN, Montaggio superficiale

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