MOSFET singoli onsemi, canale Tipo N 40 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 195 A, 5 Pin, DFNW-5, Superficie NVMFWS1D3N04XMT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
648-511
Codice costruttore:
NVMFWS1D3N04XMT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

195A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NVM

Tipo di package

DFNW-5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

90W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38.6nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.90 mm

Standard/Approvazioni

RoHS, Pb-Free

Altezza

1mm

Lunghezza

4.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza per uso automobilistico ON Semiconductor in un contenitore con cavo piatto da 5 x 6 mm progettato per progetti compatti ed efficienti e che include elevate prestazioni termiche. Opzione a fianco umidificabile disponibile per un'ispezione ottica migliorata. MOSFET qualificato AEC-Q101 e capace di PPAP adatto per applicazioni automobilistiche.

Piccolo ingombro

Basso valore di RDS(on)

Bassa QG e capacità

Opzione a fianco umidificabile

Soluzione conforme alla direttiva RoHS

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