MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 1.43 mΩ Miglioramento, 253 A, 5 Pin, DFNW-5, Superficie NVMFWS1D5N08XT1G

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 2 unità*

8,16 €

(IVA esclusa)

9,96 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1376 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Nastro*
2 - 184,08 €8,16 €
20 - 1983,68 €7,36 €
200 - 9983,39 €6,78 €
1000 - 19983,14 €6,28 €
2000 +2,555 €5,11 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-570
Codice costruttore:
NVMFWS1D5N08XT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

253A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

DFNW-5

Serie

NVMFWS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.43mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

194W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

5mm

Larghezza

6 mm

Standard automobilistico

AEC-Q

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di ON Semiconductor in un contenitore a piombo piatto da 5x6 mm progettato per progetti compatti ed efficienti, con elevate prestazioni termiche. Opzione fianco bagnabile disponibile per una migliore ispezione ottica. MOSFET con qualifica AEC-Q101 e PPAP adatto alle applicazioni automobilistiche.

Senza alogeni

Conformità RoHS

Link consigliati