MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 1.43 mΩ Miglioramento, 253 A, 5 Pin, DFNW-5, Superficie NVMFWS1D5N08XT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-570
Codice costruttore:
NVMFWS1D5N08XT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

253A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

NVMFWS

Tipo di package

DFNW-5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.43mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

194W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di ON Semiconductor in un contenitore a piombo piatto da 5x6 mm progettato per progetti compatti ed efficienti, con elevate prestazioni termiche. Opzione fianco bagnabile disponibile per una migliore ispezione ottica. MOSFET con qualifica AEC-Q101 e PPAP adatto alle applicazioni automobilistiche.

Senza alogeni

Conformità RoHS

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