MOSFET singoli onsemi, canale N 40 V, 0.6 mΩ Miglioramento, 384 A, 5 Pin, DFNW-5, Superficie NVMFWS0D63N04XMT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
648-518
Codice costruttore:
NVMFWS0D63N04XMT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

384A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

DFNW-5

Serie

NVM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

92.2nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

157W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

780mV

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza per uso automobilistico ON Semiconductor in un contenitore con cavo piatto da 5 x 6 mm progettato per progetti compatti ed efficienti e che include elevate prestazioni termiche. Opzione a fianco umidificabile disponibile per un'ispezione ottica migliorata. MOSFET qualificato AEC-Q101 e capace di PPAP adatto per applicazioni automobilistiche.

Piccolo ingombro

Basso valore di RDS(on)

Bassa QG e capacità

Opzione a fianco umidificabile

Soluzione conforme alla direttiva RoHS

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