MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 2.55 mΩ Miglioramento, 156 A, 5 Pin, DFNW-5, Superficie NVMFWS2D5N08XT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-574
Codice costruttore:
NVMFWS2D5N08XT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

156A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

NVMFWS

Tipo di package

DFNW-5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

133W

Tensione diretta Vf

0.82V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Larghezza

6mm

Standard automobilistico

AEC-Q

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza di ON Semiconductor in un contenitore a piombo piatto da 5x6 mm progettato per progetti compatti ed efficienti, con elevate prestazioni termiche. Opzione fianco bagnabile disponibile per una migliore ispezione ottica. MOSFET con qualifica AEC-Q101 e PPAP adatto alle applicazioni automobilistiche.

Senza alogeni

Conformità RoHS

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