MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 2.35 mΩ Miglioramento, 121 A, 5 Pin, DFNW-5, Superficie NVMFWS2D3N04XMT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-573
Codice costruttore:
NVMFWS2D3N04XMT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

121A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NVMFWS

Tipo di package

DFNW-5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.82V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Larghezza

6 mm

Standard/Approvazioni

AECQ101 Qualified and PPAP Capable

Standard automobilistico

AEC-Q

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di ON Semiconductor ha una bassa capacità per ridurre al minimo le perdite del driver. Questo dispositivo è privo di Pb e di alogeni/BFR.

Basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione

Conformità RoHS

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