MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 2.35 mΩ Miglioramento, 137 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie IPD023N03LF2SATMA1

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

8,35 €

(IVA esclusa)

10,19 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 2000 unità in spedizione dal 16 marzo 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,835 €8,35 €
100 - 2400,794 €7,94 €
250 - 4900,734 €7,34 €
500 - 9900,677 €6,77 €
1000 +0,652 €6,52 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
349-427
Codice costruttore:
IPD023N03LF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

137A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

107W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza StrongIRFET 2 Infineon da 30 V è caratterizzato da una RDS(on) di 2,3 mOhm, la migliore della categoria, in un pacchetto DPAK. Questo prodotto si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, dalla bassa all'alta frequenza di commutazione.

Prodotti di uso generale

Eccellente robustezza

Ampia disponibilità presso i distributori

Pacchetti e pin out standard

Elevati standard di produzione e fornitura