MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 2.35 mΩ Miglioramento, 137 A, 3 Pin, PG-TO252-3, Superficie IPD023N03LF2SATMA1

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Codice RS:
349-427
Codice costruttore:
IPD023N03LF2SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

137A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Dissipazione di potenza massima Pd

107W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza StrongIRFET 2 Infineon da 30 V è caratterizzato da una RDS(on) di 2,3 mOhm, la migliore della categoria, in un pacchetto DPAK. Questo prodotto si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, dalla bassa all'alta frequenza di commutazione.

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