MOSFET onsemi, canale Tipo N 40 V, 2.35 mΩ Miglioramento, 111 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie NTMFS2D3N04XMT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-602
Codice costruttore:
NTMFS2D3N04XMT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

111A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

NTMFS

Tipo di package

DFN-5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.82V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

53W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.1nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Larghezza

6 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
La tecnologia MOSFET di potenza di ON Semiconductor con la migliore resistenza di accensione della categoria per le applicazioni di pilotaggio dei motori. Una minore resistenza di accensione e una minore carica di gate possono ridurre la perdita di conduzione e la perdita di pilotaggio. Il buon controllo della morbidezza per il recupero inverso del diodo corpo può ridurre lo stress da picco di tensione senza un circuito snubber aggiuntivo nell'applicazione.

Senza alogeni

Conformità RoHS

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