2 MOSFET onsemi Duale, canale Tipo N, 5.8 mΩ, 111 A 60 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin NVMFD5C650NLWFT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
172-3345
Codice costruttore:
NVMFD5C650NLWFT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

111A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

DFN

Serie

NVMFD5C650NL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.1 mm

Lunghezza

6.1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.

Ingombro ridotto (5x6 mm)

Design compatto

Bassa resistenza RDS(on)

Riduce la perdita di conduzione

QG e capacità bassi

Riduce le perdite di driver

NVMFD5C446NLWF - Opzione con fiancata bagnabile

Ispezione visiva migliorata

Capacità PPAP

Applicazioni

Driver solenoide

Driver low side /high side

Controller motore nel settore automobilistico

Sistemi di frenatura antiblocco

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