2 MOSFET onsemi Duale, canale Tipo N, 3.9 mΩ, 145 A 40 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 172-3301
- Codice costruttore:
- NVMFD5C446NLT1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 172-3301
- Codice costruttore:
- NVMFD5C446NLT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 145A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | NVMFD5C446NL | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Larghezza | 5.1 mm | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 145A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie NVMFD5C446NL | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Larghezza 5.1 mm | ||
Altezza 1.05mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con DPAK ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.
Bassa resistenza in stato attivo
Perdite di conduzione minime
Capacità di corrente elevata
Prestazioni a pieno carico
Protezione da eccessive sollecitazioni di tensione
Applicazioni
Driver low side
Driver high side
Azionamento
Trasmissione nel settore automobilistico
Motori HVAC nel settore automobilistico
Pompe di pressione in ABS
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