MOSFET onsemi, canale N, 3,9 mΩ, 145 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 172-3377
Codice costruttore:: NVMFD5C446NLT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 3,9 mΩ, 145 A, DFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 172-3377
Codice costruttore:: NVMFD5C446NLT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheets
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	145 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DFN
Serie	NVMFD5C446NL
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	3,9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Tensione massima gate source	±20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	6.1mm
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	54 nC a 10 V
Larghezza	5.1mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

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