2 MOSFET onsemi Duale, canale Tipo N, 3.9 mΩ, 145 A 40 V, DFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin NVMFD5C446NLT1G

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Codice RS:
172-3377
Codice costruttore:
NVMFD5C446NLT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

145A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

DFN

Serie

NVMFD5C446NL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.05mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con DPAK ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.

Bassa resistenza in stato attivo

Perdite di conduzione minime

Capacità di corrente elevata

Prestazioni a pieno carico

Protezione da eccessive sollecitazioni di tensione

Applicazioni

Driver low side

Driver high side

Azionamento

Trasmissione nel settore automobilistico

Motori HVAC nel settore automobilistico

Pompe di pressione in ABS

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