Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale P, 200 mΩ, 2,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET onsemi, canale Tipo P 60 V, 300 mΩ Miglioramento, 2.5 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie NDT2955
Codice RS
671-1096

1pz in confezione da 5

0,652 €

(IVA esclusa)

0,795 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
248-962
Codice costruttore:
STN3PF06
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

2,5 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

SOT-223

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

4

Resistenza massima drain source

200 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Dissipazione di potenza massima

2,5 W

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

3.5mm

Lunghezza

6.5mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

16 nC a 10 V

Serie

STripFET

Minima temperatura operativa

-65 °C

Altezza

1.8mm

MOSFET di potenza STripFET™ a canale P, STMicroelectronics


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Transistor MOSFET, STMicroelectronics