2 MOSFET ROHM, canale Tipo N, 207 mΩ 100 V, HUML2020L8, Superficie Miglioramento, 8 Pin UT6KE5TCR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-564
Codice costruttore:
UT6KE5TCR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HUML2020L8

Serie

UT6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

207mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a doppio canale N da 100V 2,0A di ROHM in un contenitore DFN2020-8D è caratterizzato da una bassa resistenza di accensione, che lo rende ideale per le applicazioni di commutazione e i convertitori DC/DC. Integra due MOSFET da 100 V in un design compatto a montaggio superficiale.

Bassa resistenza in stato attivo

Pacchetto piccolo per montaggio superficiale

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni

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