MOSFET ROHM, canale Tipo N 40 V, 2.7 mΩ N, 10.3 A, 8 Pin, HUML2020L8

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1110,00 €

(IVA esclusa)

1350,00 €

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3000 +0,37 €1.110,00 €

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Codice RS:
241-2262
Codice costruttore:
RF4G100BGTCR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

HUML2020L8

Serie

RF4G100BG

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.6nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

ROHM RF4G100BG è un MOSFET di potenza con bassa resistenza in stato attivo, adatto per la commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Contenitore sagomato di piccole dimensioni ad alta potenza HUML2020L8

Placcatura senza piombo e conformità RoHS

Senza alogeni

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