MOSFET ROHM, canale Tipo N 40 V, 2.7 mΩ N, 10.3 A, 8 Pin, HUML2020L8
- Codice RS:
- 241-2262
- Codice costruttore:
- RF4G100BGTCR
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 241-2262
- Codice costruttore:
- RF4G100BGTCR
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | HUML2020L8 | |
| Serie | RF4G100BG | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package HUML2020L8 | ||
Serie RF4G100BG | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
ROHM RF4G100BG è un MOSFET di potenza con bassa resistenza in stato attivo, adatto per la commutazione.
Bassa resistenza in stato attivo
Contenitore sagomato di piccole dimensioni ad alta potenza HUML2020L8
Placcatura senza piombo e conformità RoHS
Senza alogeni
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