MOSFET ROHM, canale Tipo N 40 V, 2.7 mΩ N, 10.3 A, TSMT-8, Superficie RQ7G080BGTCR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
241-2320
Codice costruttore:
RQ7G080BGTCR
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

RQ7G080BG

Tipo di package

TSMT-8

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

ROHM RF4G100BG è un MOSFET di potenza con bassa resistenza in stato attivo, adatto per la commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo

Contenitore per montaggio superficiale di piccole dimensioni TSMT8

Placcatura senza piombo e conformità RoHS

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