MOSFET ROHM, canale Tipo N 60 V, 38 mΩ Miglioramento, 8 Pin, HSMT-8, Superficie RQ3L060BGTB1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-578
Codice costruttore:
RQ3L060BGTB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

RQ3

Tipo di package

HSMT-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

38mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

14W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.5nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM a canale N da 60 V e 15,5 A in un contenitore HSMT8 è caratterizzato da una bassa resistenza di accensione e da un design ad alta potenza, che lo rende ideale per applicazioni di commutazione, azionamenti di motori e convertitori CC o CC.

Bassa resistenza in stato attivo

Pacchetto ad alta potenza in piccolo stampo HSMT8

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni

100% Rg e UIS testato

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