1 MOSFET ROHM, canale Tipo N, 7.1 mΩ, 65 A 60 V, HSMT-8 Miglioramento, 8 Pin RH6L040BGTB1
- Codice RS:
- 264-934
- Codice costruttore:
- RH6L040BGTB1
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 10 unità*
8,33 €
(IVA esclusa)
10,16 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 3020 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,833 € | 8,33 € |
| 100 - 240 | 0,791 € | 7,91 € |
| 250 - 490 | 0,733 € | 7,33 € |
| 500 - 990 | 0,674 € | 6,74 € |
| 1000 + | 0,65 € | 6,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-934
- Codice costruttore:
- RH6L040BGTB1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 65A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | HSMT-8 | |
| Serie | RH6 | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 59W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 65A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package HSMT-8 | ||
Serie RH6 | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 59W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
ROHM Nch 60V 65A HSMT8 è un MOSFET di potenza con bassa resistenza di accensione, adatto per commutazione, azionamenti di motori, convertitori CC o CC.
Pacchetto piccolo per montaggio superficiale
Placcatura senza Pb
Conformità alla direttiva RoHS
Link consigliati
- MOSFET ROHM 95 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 25 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 20 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 12 HSMT8, Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 15 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 15 HSMT8, Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 13 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 7 A Montaggio superficiale
