MOSFET ROHM, canale Tipo P 80 V, 8.3 mΩ Depletion, 65 A, 8 Pin, HSMT-8, Superficie RH6N040BHTB1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
265-155
Codice costruttore:
RH6N040BHTB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

HSMT-8

Serie

RH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.3mΩ

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Dissipazione di potenza massima Pd

59W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di ROHM è un semiconduttore all'avanguardia progettato per offrire prestazioni e affidabilità eccezionali per diverse applicazioni. Questo componente è caratterizzato da un piccolo stampo ad alta potenza che ottimizza lo spazio senza compromettere la funzionalità. Grazie alla bassa resistenza di accensione, garantisce una gestione efficiente dell'alimentazione, rendendola perfetta per l'uso negli azionamenti dei motori e nei convertitori CC/CC.

Elevata capacità di potenza per applicazioni complesse

Testato per caratteristiche di carica di gate robuste che migliorano le prestazioni di commutazione

Ideale per varie applicazioni, compresi gli azionamenti dei motori

I valori nominali massimi completi garantiscono la sicurezza dei limiti operativi

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