MOSFET singoli ROHM, canale Doppio N 150 V, 214 mΩ Miglioramento, 8 Pin, HSMT-8, Superficie HT8KF6HTB1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
687-371
Codice costruttore:
HT8KF6HTB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Doppio N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

HT8KF6H

Tipo di package

HSMT-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

214mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

14W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.4nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

3.4 mm

Altezza

0.8mm

Lunghezza

3.45mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
JP
Il MOSFET di potenza a canale N ROHM è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni. Questo componente offre caratteristiche elettriche robuste, tra cui una corrente di drenaggio continua massima di ±7,0 A, che garantiscono un funzionamento affidabile con carichi elevati. I materiali privi di piombo e alogeni sono conformi agli standard RoHS, contribuendo a progetti ecocompatibili. La resistenza termica di questo MOSFET è ottimizzata, consentendo un'efficace dissipazione del calore, migliorando così la longevità e le prestazioni del dispositivo in varie applicazioni elettroniche.

Bassa resistenza di accensione per una maggiore efficienza

Elevata capacità di potenza in un pacchetto compatto HSMT8

Conforme alle normative RoHS con placcatura senza piombo

Design privo di alogeni per supportare le iniziative ecologiche

Applicazione versatile negli azionamenti dei motori e nei sistemi di gestione dell'alimentazione

Elevata temperatura di giunzione massima di 150 °C

Impressionante dissipazione di potenza massima di 14 W

Caratteristiche valanga affidabili con un'energia massima di 0,24 mJ

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