MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 100 V, 58 mΩ Miglioramento, 8 Pin, HSMT-8AG, Superficie RQ3P120BKFRATCB

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
687-380
Codice costruttore:
RQ3P120BKFRATCB
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HSMT-8AG

Serie

RQ3P120BKFRA

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

58mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.9nC

Dissipazione di potenza massima Pd

40W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.30mm

Larghezza

300 mm

Altezza

0.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
JP
Il MOSFET di potenza a canale N ROHM è progettato per una gestione efficiente dell'energia in varie applicazioni. In grado di resistere a tensioni drain-source fino a 100 V e a correnti nominali continue di ±12 A, questo MOSFET eccelle sia per densità di potenza che per resistenza termica. Il pacchetto compatto HSMT8AG riduce significativamente i requisiti di spazio sul circuito stampato del 64%, rendendolo la scelta ideale per i moderni progetti elettronici che richiedono affidabilità ed efficienza. Grazie alla qualifica AEC-Q101, garantisce un funzionamento robusto nelle applicazioni automobilistiche, servendo un'ampia gamma di casi d'uso, dall'ADAS alle soluzioni di illuminazione.

Il piccolo pacchetto ad alta potenza ottimizza lo spazio sui circuiti stampati del 64%

Elevata affidabilità di montaggio grazie all'innovativo trattamento dei terminali e della placcatura

La qualifica AEC Q101 garantisce l'affidabilità nelle applicazioni automobilistiche

Prodotto progettato per gestire una dissipazione di potenza massima di 40 W per un'efficace gestione termica

La bassa resistenza in stato attivo di 58 mΩ migliora l'efficienza e le prestazioni

La robusta tolleranza di tensione gate-sorgente di ±20 V espande le possibilità di integrazione

La corrente nominale a valanga di 8 A e la dissipazione di energia di 5,2 mJ forniscono una protezione aggiuntiva durante il funzionamento

Funzionamento estremamente affidabile in un intervallo di temperatura compreso tra -55 e +150 °C

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