MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 100 V, 58 mΩ Miglioramento, 8 Pin, HSMT-8AG, Superficie RQ3P120BKFRATCB
- Codice RS:
- 687-380
- Codice costruttore:
- RQ3P120BKFRATCB
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 2 unità*
3,55 €
(IVA esclusa)
4,332 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 100 unità in spedizione dal 13 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,775 € | 3,55 € |
| 20 - 48 | 1,56 € | 3,12 € |
| 50 - 198 | 1,41 € | 2,82 € |
| 200 - 998 | 1,13 € | 2,26 € |
| 1000 + | 1,11 € | 2,22 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 687-380
- Codice costruttore:
- RQ3P120BKFRATCB
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | RQ3P120BKFRA | |
| Tipo di package | HSMT-8AG | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 58mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 40W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 3.30mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie RQ3P120BKFRA | ||
Tipo di package HSMT-8AG | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 58mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 40W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 3.30mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- JP
Il MOSFET di potenza a canale N ROHM è progettato per una gestione efficiente dell'energia in varie applicazioni. In grado di resistere a tensioni drain-source fino a 100 V e a correnti nominali continue di ±12 A, questo MOSFET eccelle sia per densità di potenza che per resistenza termica. Il pacchetto compatto HSMT8AG riduce significativamente i requisiti di spazio sul circuito stampato del 64%, rendendolo la scelta ideale per i moderni progetti elettronici che richiedono affidabilità ed efficienza. Grazie alla qualifica AEC-Q101, garantisce un funzionamento robusto nelle applicazioni automobilistiche, servendo un'ampia gamma di casi d'uso, dall'ADAS alle soluzioni di illuminazione.
Il piccolo pacchetto ad alta potenza ottimizza lo spazio sui circuiti stampati del 64%
Elevata affidabilità di montaggio grazie all'innovativo trattamento dei terminali e della placcatura
La qualifica AEC Q101 garantisce l'affidabilità nelle applicazioni automobilistiche
Prodotto progettato per gestire una dissipazione di potenza massima di 40 W per un'efficace gestione termica
La bassa resistenza in stato attivo di 58 mΩ migliora l'efficienza e le prestazioni
La robusta tolleranza di tensione gate-sorgente di ±20 V espande le possibilità di integrazione
La corrente nominale a valanga di 8 A e la dissipazione di energia di 5,2 mJ forniscono una protezione aggiuntiva durante il funzionamento
Funzionamento estremamente affidabile in un intervallo di temperatura compreso tra -55 e +150 °C
Link consigliati
- MOSFET singoli ROHM 47 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie RQ3L270BJFRATCB
- MOSFET ROHM 14.7 mΩ Depletion 8 Pin Superficie RQ3L270BLFRATCB
- MOSFET ROHM 14.6 mΩ Depletion 8 Pin Superficie RQ3L270BKFRATCB
- MOSFET ROHM 9.6 mΩ Depletion 8 Pin Superficie RQ3G270BKFRATCB
- MOSFET singoli ROHM 214 mΩ Miglioramento HSMT-8, Superficie HT8KF6HTB1
- MOSFET singoli ROHM 165 mΩ Miglioramento HSMT-8, Superficie HT8MD5HTB1
- MOSFET singoli ROHM 2.5 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie RH6G040CHTB1
- MOSFET singoli ROHM Tipo N 60 V 8 Pin Superficie HT8MC5TB1
