2 MOSFET ROHM, canale Tipo N, 54 mΩ, 17 A 100 V, HSOP-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin HP8KE6TB1
- Codice RS:
- 264-871
- Codice costruttore:
- HP8KE6TB1
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 5 unità*
10,08 €
(IVA esclusa)
12,30 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 100 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,016 € | 10,08 € |
| 50 - 95 | 1,91 € | 9,55 € |
| 100 - 495 | 1,768 € | 8,84 € |
| 500 - 995 | 1,632 € | 8,16 € |
| 1000 + | 1,57 € | 7,85 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 264-871
- Codice costruttore:
- HP8KE6TB1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 17A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | HSOP-8 | |
| Serie | HP8K | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 54mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 21W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 17A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package HSOP-8 | ||
Serie HP8K | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 54mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 21W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza ROHM presenta una configurazione a doppio canale N con una tensione nominale di 100V e una capacità di corrente di 17A. Progettato in un package HSOP8, offre una bassa resistenza di accensione.
Bassa resistenza in stato attivo
Pacchetto di montaggio superficiale piccolo (HSOP8)
Placcatura al piombo senza Pb e conforme alla normativa RoHS
Senza alogeni
Link consigliati
- MOSFET ROHM 35 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 90 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 24 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 150 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 210 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 60 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 40 A Montaggio superficiale
- MOSFET ROHM 23 A Montaggio superficiale
