2 MOSFET ROHM Nch+Nch, canale Tipo N, 19.6 mΩ 100 V, HSOP-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin HP8KE7TB1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 5 unità*

8,03 €

(IVA esclusa)

9,795 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 100 unità in spedizione dal 23 febbraio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Nastro*
5 - 451,606 €8,03 €
50 - 951,528 €7,64 €
100 - 4951,414 €7,07 €
500 - 9951,304 €6,52 €
1000 +1,252 €6,26 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-873
Codice costruttore:
HP8KE7TB1
Costruttore:
ROHM
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HSOP-8

Serie

HP8K

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

19.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

26W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Nch+Nch

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM presenta una configurazione a doppio canale N con una tensione nominale di 100V e una capacità di corrente di 24A. Progettato in un package HSOP8, offre una bassa resistenza di accensione.

Bassa resistenza in stato attivo

Pacchetto di montaggio superficiale piccolo (HSOP8)

Placcatura al piombo senza Pb e conforme alla normativa RoHS

Senza alogeni

Link consigliati