2 MOSFET ROHM Doppio (Nch+Pch), canale Tipo N, Tipo P, 273 mΩ 100 V, HSOP-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin HP8ME5TB1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-877
Codice costruttore:
HP8ME5TB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HSOP-8

Serie

HP8K

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

273mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Doppio (Nch+Pch)

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza ROHM presenta una configurazione a doppio canale N con una tensione nominale di 100V e una capacità di corrente di 8,5A. Progettato in un package HSOP8, offre una bassa resistenza di accensione.

Bassa resistenza in stato attivo

Pacchetto di montaggio superficiale piccolo (HSOP8)

Placcatura al piombo senza Pb e conforme alla normativa RoHS

Senza alogeni

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