MOSFET Infineon, canale N, 90 A, PG-HDSOP-22, Montaggio superficiale

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Codice RS:
284-742
Codice costruttore:
IPDQ60R025CFD7XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

90 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

PG-HDSOP-22

Serie

600V CoolMOS

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

22

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Il MOSFET Infineon, dotato di transistor di potenza CoolMOS CFD7, stabilisce un nuovo punto di riferimento nella gestione dell'alimentazione ad alta tensione, meticolosamente progettato per le applicazioni a ponte intero a sfasamento e LLC. La sua innovativa tecnologia a supergiunzione garantisce un'efficienza eccezionale nelle topologie risonanti, posizionandosi perfettamente per gli ambienti di commutazione morbida. Con un design robusto che combina prestazioni ultraveloci del diodo di corpo con una carica di gate minima, questo transistor di potenza migliora significativamente l'affidabilità e le prestazioni del sistema. Ideale per diverse applicazioni, tra cui infrastrutture server, sistemi di telecomunicazione e ricarica di veicoli elettrici, rappresenta il massimo dell'efficienza e della robustezza. La serie CFD7 annuncia un approccio sofisticato alla gestione dell'alimentazione, che non solo soddisfa, ma supera le moderne esigenze di efficienza energetica e robustezza operativa.

Il diodo di corpo ultraveloce ottimizza la commutazione
La bassa carica di gate garantisce un'elevata efficienza
Il recupero inverso migliore della categoria migliora le prestazioni
Il design robusto resiste alle sollecitazioni di/dt
Ideale per soluzioni ad alta densità di potenza
Qualificato secondo JEDEC per uso industriale
L'implementazione snella semplifica i processi di progettazione

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