- Codice RS:
- 295-703
- Codice costruttore:
- RFP12N10L
- Costruttore:
- onsemi
14 A stock - in consegna il giorno lavorativo successivo per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzino in Italia)
Aggiunto
Prezzo per Unità
1,11 €
(IVA esclusa)
1,35 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 4 | 1,11 € |
5 - 9 | 1,06 € |
10 - 24 | 1,00 € |
25 - 49 | 0,95 € |
50 + | 0,87 € |
- Codice RS:
- 295-703
- Codice costruttore:
- RFP12N10L
- Costruttore:
- onsemi
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor
I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 12 A |
Tensione massima drain source | 100 V |
Tipo di package | TO-220AB |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 200 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 1V |
Dissipazione di potenza massima | 60 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -10 V, +10 V |
Numero di elementi per chip | 1 |
Lunghezza | 10.67mm |
Materiale del transistor | Si |
Larghezza | 4.83mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 9.4mm |