MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 200 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 368-3197
Codice costruttore:: RFP12N10L
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 200 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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250 - 450	0,63 €	31,50 €
500 - 950	0,613 €	30,65 €
1000 - 2450	0,598 €	29,90 €
2500 +	0,583 €	29,15 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 368-3197
Codice costruttore:: RFP12N10L
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	200mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	60W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	10V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	4.83mm
	Lunghezza	10.67mm
	Altezza	9.4mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 200mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 60W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 4.83mm
	Lunghezza 10.67mm
	Altezza 9.4mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor

I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 200 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

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MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

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