MOSFET Infineon, canale N, P, 140 mΩ, 270 mΩ, 1,7 A, 2,4 A, MSOP, Montaggio superficiale

Codice RS:: 301-186
Codice Distrelec:: 302-84-021
Codice costruttore:: IRF7507TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, P, 140 mΩ, 270 mΩ, 1,7 A, 2,4 A, MSOP, Montaggio superficiale

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Codice Distrelec:: 302-84-021
Codice costruttore:: IRF7507TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7507 HEXFET® Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	1,7 A, 2,4 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	MSOP
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	140 mΩ, 270 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.7V
Tensione di soglia gate minima	0.7V
Dissipazione di potenza massima	1,25 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	5,3 nC a 4,5 V, 5,4 nC a 4,5 V
Lunghezza	3mm
Larghezza	3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.86mm

MOSFET Infineon, canale N, P, 140 mΩ, 270 mΩ, 1,7 A, 2,4 A, MSOP, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza doppio a canale N/P, Infineon

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