MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 40 V, 1 mΩ, 304 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie STL305N4LF8AG
- Codice RS:
- 330-576
- Codice costruttore:
- STL305N4LF8AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 330-576
- Codice costruttore:
- STL305N4LF8AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 304A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | STL | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 167W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 304A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie STL | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 167W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Esente
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N enhancement mode di STMicroelectronics, progettato in tecnologia STripFET F8, presenta una struttura di gate a trincea potenziata. Offre una figura di merito all'avanguardia con una resistenza on-state molto bassa, capacità interne e carica di gate ridotte, consentendo una commutazione più rapida ed efficiente.
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