MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 40 V, 110 mΩ, 120 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie

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Codice RS:
219-4229
Codice costruttore:
STL260N4LF7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerFLAT

Serie

STL260N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

188W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1mm

Larghezza

5 mm

Lunghezza

6mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura trench gate migliorata che si traduce in una resistenza molto bassa in stato attivo, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.

Tra i più bassi RDS(ON) sul mercato

Eccellente FOM (figura di merito)

Basso rapporto CRS/Ciss per immunità EMI

Elevata resistenza alle valanghe

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